გასწვრივი მიმართულებით უცვლელი ელექტროგამტარებლობის მქონე InxGa1-xAs-ის მყარი ხსნარების მოცულობითი კრისტალების მიღება
Article Sidebar
Main Article Content
ანოტაცია
მიმოხილულია InxGa1-xAs-ის მყარი ხსნარების თვისებები და მათი გამოყენების სფეროები. ეს ნახევარგამტარული მასალა მეტად პერსპექტიულია თავისი უნიკალური თვისების, რადიაციული ზემოქმედების მიმართ მედეგობის გამო. ამიტომ InxGa1-xAs -ის მყარი ხსნარების ერთგვაროვანი მოცულობითი კრისტალების მიღების ტექნოლოგიის შემუშავება და დახვეწა დღეისათვის მეტად აქტუალურია. მათ მისაღებად არჩეულია ჩოხრალსკის მეთოდი. აღწერილია გამოყენებული ტექნოლოგიური დანადგარი და მოყვანილია ამ დროს მიღებული ნიმუშების ელექტროფიზიკური პარამეტრები. ექსპერიმენტულად დადგინდა, რომ InxGa1-xAs -ის მყარი ხსნარების ელექტროგამტარებლობა მათი სხმულების ბოლოსკენ იზრდება, რაც გამოწვეულია ნადნობში მინარევთა კონცენტრაციის მატებით. ზრდის მიმართულების გასწვრივ ელექტროგამტარებლობის მხრივ ერთგვაროვანი სხმულის მისაღებად წარმატებით იქნა გამოყენებული კრისტალის ამოწევის სიჩქარის თანდათანობითი მომატების მეთოდი. მოყვანილია გაზრდილ ნიმუშებში სიგრძის გასწვრივ ხვედრითი წინაღობების განაწილების გრაფიკები.