ნახევარგამტარული სილიციუმის იონიმპლანტაციური ნეიტრონების დეტექტორი ეროვნული თავდაცვისა და უსაფრთხოებისათვის

ანოტაცია

ნეიტრონების დეტექტირებისათვის შექმნილია და შესწავლილია სილიციუმის იონიმპლანტაციური p-n გადასასვლელიანი პლანარული დიოდი. დიოდის р-ფენა ერთდროულად ნეიტრონების კონვერტერს წარმოადგენს. 10B იონებით მონოკრისტალური Si-ის თანამიმდევრული იმპლანტაციით შექმნილია 1 და 0.25 სმ2 ფართობის დიოდების პარტია. p-n გადასასვლელზე 623 K ტემპერატურაზე დაფენილია 100 და 140 ნმ სისქის Ti-Au ომური კონტაქტები. შესწავლილია დიოდების ვოლტამპერული მახასიათებლები. 20 ვ უკუძაბვის დროს 1 სმ2 ფართობის დიოდების გაჟონვის დენებმა 11.7-12 მკა შეადგინა, ხოლო 0.25 სმ2 ფართობის დიოდებისთვის 8.44-9.55 მკა.
შემუშავებულია დეტექტორის ელექტრონული სისტემის პირველი პროტოტიპი, რომლის გამოყენებით განსაზღვრულია იმპულსური კვების ბლოკის ხმაურის დონე და მისი ფილტრაციის მეთოდები. ასევე ხმაურის ზემოქმედება დეტექტორის მგრძნობიარე ანალოგურ ნაწილზე და ანალოგური კვანძის ეკრანირების სხვადასხვა მეთოდი. პირველი პროტოტიპის ტესტირების შედეგების გათვალისწინებით შემუშავებულია დეტექტორის მოდიფიცირებული, ფუნქციური პროტოტიპი. მოდიფიცირებულია პრინციპული სქემა და შემუშავებულია ბეჭდური დაფები. შემუშავებულია სისტემის მართვის პროგრამის პირველი ვერსია.